|
Часть 1
Е.П.Воробьев, К.В.Сенин
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ПРОИЗВОДСТВА СССР И ИХ ЗАРУБЕЖНЫ
Е АНАЛОГИ
СОДЕРЖАНИЕ:
Список сокращений. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . .2
1. Условные обозначения интегральных микросхем и их корпусов . .
. . . . . . .3
1.1. Условные обозначения интегральных микросхем производства С
ССР . . . . .3
1.2. Условные обозначения интегральных микросхем производства
капиталистических стран . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . .5
1.3. Условные обозначения интегральных микросхем производства
стран-членов СЭВ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 25
1.4. Корпуса интегральных микросхем. . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 25
2. Интегральные микросхемы производства СССР . . . . . . . . . .
. . . . . . 27
2.1. Интегральные микросхемы производства СССР и их аналоги. .
. . . . . . 27
2.2. Интегральные микросхемы производства капиталистических стр
ан и их
аналоги производства СССР . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 50
2.3. Функциональное назначение интегральных микросхем производс
тва СССР. . 58
2.4. Интегральные микросхемы ТТЛ серий производства СССР и их а
налоги
производства капиталистических стран. . . . . . . . . . .
. . . . . . 80
2.4. Интегральные микросхемы ТТЛ серий производства капиталисти
ческих
стран и их аналоги производства СССР. . . . . . . . . . .
. . . . . . 83
3. Интегральные микросхемы производства стран-членов СЭВ и их ана
логи. . . . 85
3.1. Интегральные микросхемы производства стран-членов СЭВ и их
аналоги
производства капиталистических стран, а также производства
СССР . . . 85
3.2. Интегральные микросхемы производства стран-членов СЭВ . .
. . . . . .108
3.3. Интегральные микросхемы производства СССР и их аналоги про
изводства
стран-членов СЭВ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . .114
3.3. Интегральные микросхемы производства капиталистических стр
ан и их
аналоги производства стран-членов СЭВ . . . . . . . . . .
. . . . . .118
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
АЛУ - арифметико-логическое устройство
АМ - амплитудная модуляция, амплитудно-модулированный
АПЧ - автоматическая подстройка частоты
АПЧиФ - автоматическая подстройка частоты и фазы
АРУ - автоматическая регулировка усиления
АРУЗ - автоматическая регулировка уровня записи
АЦП - аналого-цифровой преобразователь
АЧХ - амплитудно-частотная характеристика
БИС - большая интегральная схема
ВПЛ - высокопороговая логика
ВЧ - высокая частота, высокочастотный
ДМОП - диффузионная МОП-структура
ДТЛ - диодно-транзисторная логика
ЖКИ - жидкокристаллический индикатор
ЗУ - запоминающее устройство
ИКМ - импульсно-кодовая модуляция
ИИЛ - интегральная инжекционная логика
ИС - интегральная микросхема
КЗ - короткое замыкание
КМОП - комплементарная МОП-структура
МОП - структура металл-окисел-полупроводник
МНОП - структура металл-нитрид-окисел-полупроводник
МПН - микропроцессорный набор
НГМД - накопитель на гибком магнитном диске
НМД - накопитель на магнитном диске
НМЛ - накопитель на магнитной ленте
НЧ - низкая частота
ОЗУ - оперативное запоминающее устройство
ОК - открытый коллектор
ОУ - операционный усилитель
ОЭ - общий эмиттер
ПЗС - прибор с зарядовой связью
ПЗУ - постоянное запоминающее устройство
ПЛМ - программируемая логическая матрица
ППЗУ - перепрограммируемое ПЗУ
ПЧ - промежуточная частота
ПЭВМ - персональная ЭВМ
РЭА - радиоэлектронная аппаратура
СДИ - светодиодный индикатор
ТС - три состояния
ТТЛ - транзисторно-транзисторная логика
ТТЛШ - транзисторно-транзисторная логика с диодами Шотки
УВЧ - усилитель высокой частоты
УЗЧ - усилитель звуковой частоты
УКВ - ультракороткие волны, ультракоротковолновый
УНЧ - усилитель низкой частоты
УПЧ - усилитель промежуточной частоты
УПЧЗ - усилитель промежуточной частоты звука
УПЧИ - усилитель промежуточной частоты изображения
УРЧ - усилитель радиочастоты
УФ - ультрафиолетовый
ЦАП - цифро-аналоговый преобразователь
ЦПОС - центральный процессор обработки сигналов
ЧМ - частотная модуляция, частотно-модулированный
ЭКВМ - электронная клавишная вычислительная машина
ЭМИ - электромузыкальный инструмент
ЭППЗУ - ППЗУ с электрическим стиранием информации
ЭСЛ - эмиттерно-связанная логика
n-МОП - МОП-структура с каналом n-типа
p-МНОП- МНОП-структура с каналом p-типа
p-МОП - МОП-структура с каналом p-типа
1. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ИХ КОРП
УСОВ
1.1. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПРОИЗВОДСТ
ВА СССР
Условное обозначение ИС производства СССР представляет собой
цифро-буквен-
ный код, содержащий информацию о функциональном назначении мик
росхемы, числе
подобных типов и типономиналов ИС в серии, номере серии, техноло
гии изготовле-
ния, материале и корпусе, и состоит из следующих частей :
1. Буквенный префикс, первая буква которого К обозначает ИС ш
ирокого приме-
нения, а вторая - материал и тип корпуса или его отсутстви
е :
А - пластмассовый типа 4;
Б - бескорпусная ИС (в конце условного обозначения ИС ч
ерез дефис до-
бавляется цифра от 1 до 5, указывающая на конструктив
ное исполнение
бескорпусной ИС);
Е - металлополимерный типа 2;
И - стеклокерамический типа 4;
М - керамический, металлокерамический типа 2;
Н - керамический микрокорпус;
Р - пластмассовый типа 2;
С - стеклокерамический типа 2;
Ф - пластмассовый микрокорпус.
Вторая буква в префиксе может отсутствовать. Типы и типора
змеры корпусов
ИС преведены в ГОСТ 17467-79.
2. Трех- четырехзначное число, первая цифра которого обознач
ает конструк-
тивно-технологическое исполнение ИС (например,1 и 5 - полу
проводниковые,
2 - гибридные), остальные - условный порядковый номер сери
и.
3. Двухбуквенный индекс, первая буква которого обозначает под
группу, а вто-
рая - вид ИС по их функциональному назначению. Индексы и с
оответствующее
им функциональное назначение ИС приведены в таблице 1.1.
4. Одно-, двух- или трехзначный условный номер ИС в данной се
рии по функци-
ональному признаку.
Иногда после условного номера добавляется буквенное обозначен
ие, характери-
зующее эксплуатационные параметры ИС.
Таблица 1.1
______ _________________________________________________________
_____________
| |
|
|Индекс| Функциональное назначение
|
|______|_________________________________________________________
_____________|
| |
|
| | Генераторы :
|
| ГС | гармонические сигналов
|
| ГГ | прямоугольных сигналов (мультивибраторы, блокинг-генерат
оры) |
| ГЛ | линейно-изменяющихся сигналов
|
| ГФ | сигналов специальной формы
|
| ГМ | шума
|
| ГП | прочие
|
| | Фоточувствительные схемы с зарядовой связью :
|
| ЦМ | матричные
|
| ЦЛ | линейные
|
| ЦП | прочие
|
| | Детекторы :
|
| ДА | амплитудные
|
| ДИ | импульсные
|
| ДС | частотные
|
| ДФ | фазовые
|
| ДП | прочие
|
| | Коммутаторы и ключи :
|
| КТ | тока
|
| КН | напряжения
|
| КП | прочие
|
| | Логические элементы :
|
| ЛИ | элементы И
|
| ЛН | элементы НЕ
|
| ЛЛ | элементы ИЛИ
|
| ЛА | элементы И-НЕ
|
| ЛЕ | элементы ИЛИ-НЕ
|
| ЛС | элементы И-ИЛИ
|
| ЛБ | элементы И-НЕ/ИЛИ-НЕ
|
| ЛР | элементы И-ИЛИ-НЕ
|
| ЛК | элементы И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ
|
| ЛМ | элементы ИЛИ-НЕ/ИЛИ
|
| ЛД | расширители
|
| ЛП | прочие
|
| | Многофункциональные схемы :
|
| ХА | аналоговые
|
| ХЛ | цифровые
|
| ХК | комбинированые
|
| ХМ | цифровые матрицы (в том числе программируемые)
|
| ХН | аналоговые матрицы
|
| ХТ | комбинированые матрицы
|
| ХП | прочие
|
| | Модуляторы :
|
| МА | амплитудные
|
| МС | частотные
|
| МФ | фазовые
|
| МИ | импульсные
|
| МП | прочие
|
|______|_________________________________________________________
_____________|
Продолжени
е таблицы 1.1
______ _________________________________________________________
_____________
| |
|
|Индекс| Функциональное назначение
|
|______|_________________________________________________________
_____________|
| |
|
| | Наборы элементов :
|
| НД | диодов
|
| НТ | транзисторов
|
| НР | резисторов
|
| НЕ | конденсаторов
|
| НК | комбинированые
|
| НФ | функциональные
|
| НП | прочие
|
| | Преобразователи сигналов :
|
| ПС | частоты (в том числе перемножители аналоговых сигналов)
|
| ПД | длительности
|
| ПН | напряжения (тока)
|
| ПМ | мощности
|
| ПУ | уровня (согласователи)
|
| ПВ | аналого-цифровые
|
| ПА | цифро-аналоговые
|
| ПР | код-код
|
| ПЛ | синтезаторы частоты
|
| ПИ | делители частоты аналоговые
|
| ПЦ | делители частоты цифровые
|
| ПЕ | умножители частоты аналоговые
|
| ПП | прочие
|
| | Схемы вторичных источников питания :
|
| ЕВ | выпрямители
|
| ЕМ | преобразователи
|
| ЕН | стабилизаторы напряжения непрерывные
|
| ЕК | стабилизаторы напряжения импульсные
|
| ЕТ | стабилизаторы тока
|
| ЕУ | схемы управления импульсными стабилизаторами напряжения
|
| ЕС | системы вторичных источников питания
|
| ЕП | прочие
|
| | Схемы задержки :
|
| БМ | пассивные
|
| БР | активные
|
| БП | прочие
|
| | Схемы сравнения :
|
| СК | амплитудные (уровня сигнала)
|
| СВ | временные
|
| СС | частотные
|
| СА | компараторы напряжения
|
| СП | прочие
|
| | Триггеры :
|
| ТВ | универсальные (типа JK)
|
| ТР | с раздельным запуском (типа RS)
|
| ТМ | с задержкой (типа D)
|
| ТТ | счетные (типа T)
|
| ТД | динамические
|
| ТЛ | Шмитта
|
| ТК | комбинированые
|
| ТП | прочие
|
| | Усилители :
|
| УВ | высокой частоты
|
| УР | промежуточной частоты
|
| УН | низкой частоты
|
| УК | широкополосные
|
| УИ | импульсных сигналов
|
| УЕ | повторители
|
| УЛ | считывания и воспроизведения
|
| УМ | индикации
|
| УТ | постоянного тока
|
| УД | операционные усилители
|
| УП | прочие
|
| | Фильтры :
|
| ФВ | верхних частот
|
| ФН | нижних частот
|
| ФЕ | полосовые
|
| ФР | режекторные
|
| ФП | прочие
|
| | Формирователи :
|
| АГ | импульсов прямоугольной формы
|
| АФ | импульсов специальной формы
|
| АА | адресных токов
|
| АР | разрядных токов
|
| АП | прочие
|
| | Схемы запоминающих устройств :
|
| РМ | матрицы ОЗУ
|
| РВ | матрицы ПЗУ
|
| РУ | ОЗУ
|
| РТ | ПЗУ с возможностью однократного программирования
|
| РЕ | ПЗУ масочные
|
| РР | ЭППЗУ
|
| РФ | ПЗУ с УФ-стиранием и электрической записью информации
|
| РП | прочие
|
|______|_________________________________________________________
_____________|
Продолжени
е таблицы 1.1
______ _________________________________________________________
_____________
| |
|
|Индекс| Функциональное назначение
|
|______|_________________________________________________________
_____________|
| |
|
| | Схемы цифровых устройств :
|
| ИР | регистры
|
| ИМ | сумматоры
|
| ИЛ | полусумматоры
|
| ИЕ | счетчики
|
| ИВ | шифраторы
|
| ИД | дешифраторы
|
| ИК | комбинированые схемы
|
| ИА | АЛУ
|
| ИП | прочие
|
| | Схемы вычислительных средств :
|
| ВЕ | микроЭВМ
|
| ВМ | микропроцессоры
|
| ВС | микропроцессорные секции
|
| ВУ | схемы микропрограммного управления
|
| ВР | функциональные расширители
|
| ВБ | схемы синхронизации
|
| ВН | схемы управления прерыванием
|
| ВВ | схемы управления вводом-выводом (схемы интерфейса)
|
| ВТ | схемы управления памятью
|
| ВФ | функциональные преобразователи информации
|
| ВА | схемы сопряжения с магистралью
|
| ВИ | времязадающие схемы
|
| ВХ | микрокалькуляторы
|
| ВГ | контроллеры
|
| ВК | комбинированые схемы
|
| ВЖ | специализированные схемы
|
| ВП | прочие
|
|______|_________________________________________________________
_____________|
1.2. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ МИКРОСХЕМ ПРОИЗВОДСТВА КАПИТАЛИСТИЧЕ
СКИХ СТРАН
Каждая фирма-изготовитель ИС в капиталистических странах име
ет свой способ
обозначения продукции. Обычно, условное обозначение ИС состоит
из префикса,
указывающего на изготовителя или тип прибора, цифробуквенного об
означения типа
ИС и суффикса, уточняющего модификацию прибора, условия эксплуата
ции и тип кор-
пуса. Многие фирмы, покупая лицензию на изготовление той или ино
й ИС, либо ос-
тавляют ей прежнее условное обозначение, либо заменяют префикс ф
ирмы, разрабо-
тавшей ИС, на собственный, поэтому однозначно определить изготов
ителя ИС по ее
условному обозначению довольно трудно. Однако, зная систему усло
вных обозначе-
ний ИС различных фирм, можно найти аналог ИС другой фирмы для им
еющейся и кос-
венным путем получить необходимую информацию.
В таблице 1.2 приведены условные обозначения и полные наимено
вания фирм ка-
питалистических стран, встречающихся в настоящем справочнике. Си
стемы условных
обозначений ИС, выпускаемых этими фирмами, представлены ниже :
Таблица 1.2
______ _________________________________________________________
_____________
| |
|
| Код | Полное наименование
|
|______|_________________________________________________________
_____________|
| |
|
| ALGG | Telefunken Electronic GmbH
|
| AMD | Advanced Micro Devices
|
| AMI | American Microsystems Inc.
|
| ANA | Analog Devices Inc.
|
| BUB | Burr-Brown Corp.
|
| DEC | Digital Equipment Corp.
|
| DIO | Dionics Inc.
|
| EXR | Exar Integrated Systems Inc.
|
| FCAJ | Fujitsu Ltd.
|
| FSC | Fairchild Instrument & Camera Corp.
|
| GIC | General Instrument Corp.
|
| HAS | Harris Semiconductor
|
| HITJ | Hitachi Ltd.
|
| INL | Intersil Inc.
|
| IOS | Inmos Corp.
|
| ITL | Intel Corp.
|
| ITTG | ITT Semiconductors Intermetal
|
| LAM | Lambda Semiconductor
|
| LTI | Linear Technology Corp.
|
| MAB | Mitsubishi Electric Corp.
|
| MATJ | Matsushita Electronics Corp.
|
| MMI | Monolithics Memories Inc.
|
| MOS | Mostek Corp.
|
| MOTA | Motorola Semiconductor Products Inc.
|
| MTO | Monsanto Commercial Products
|
| MUL | Mullard Ltg.
|
| NECJ | Nippon Electric Corp.
|
| NSC | National Semiconductor Corp.
|
| PHIN | Phillips
|
| PLSB | Plessey Semiconductors Ltd.
|
|______|_________________________________________________________
_____________|
Продолжени
е таблицы 1.2
______ _________________________________________________________
_____________
| |
|
| Код | Полное наименование
|
|______|_________________________________________________________
_____________|
| |
|
| PMI | Precision Monolithics Inc.
|
| RCA | RCA Corp.
|
| SGL | Silicon General Inc.
|
| SGS | SGS-Semiconductor Corp.
|
| SIC | Signetics Corp.
|
| SIEG | Siemens Aktiengesellschaft
|
| SIX | Siliconix Inc.
|
| SMC | Standard Microsystems Corp.
|
| SONY | Sony Corp.
|
| SPR | Sprague Electric Corp.
|
| SSS | Sprague Solid State
|
| THEF | Thomson-CSF/EFCIS
|
| TII | Texas Instruments Inc.
|
| TOSJ | Toshiba Corp.
|
| TRW | TRW LSI Products
|
| TSA | Tokyo Sanyo Electric Corp.
|
| WDC | Western Digital Corp.
|
| ZIL | Zilog
|
|______|_________________________________________________________
_____________|
Advanced Micro Devices
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки AM 25 S 05 D M
Назначение и технология________| | | | |
Тип ИС________________________________| | | |
Номер прибора____________________________| | |
Корпус____________________________________________| |
Температурный диапазон______________________________|
Назначение и технология :
21 - МОП-ИС памяти
25, 54, 74 - ИС средней степени интеграции
26 - ИС интерфейсов ЭВМ
27 - биполярные ИС памяти и ПЗУ с УФ-стиранием
60, 61, 66 - аналоговые биполярные ИС
79 - ИС для устройств связи
80 - МОП-микропроцессоры
81, 82 - МОП- и биполярные периферийные ИС
90, 92, 94 - МОП-ИС
91 - МОП-ОЗУ
93 - биполярные ИС - логические и памяти
95 - периферийные МОП-ИС
98 - ППЗУ с электрическим стиранием информации
99 - КМОП-ИС памяти
104, 1004 - ЭСЛ-ИС памяти
Тип ИС :
отсутствие знака - стандартные
L - с пониженой потребляемой мощностью
S - с диодами Шотки
LS - с диодами Шотки и пониженой потребляемой мощностью
Корпус :
D - пластмассовый герметичный DIL
F - плоский
L - безвыводной кристаллодержатель
P - формованный пластмассовый
X - кристалл
Температурный диапазон :
C - коммерческий
M - военный
American Microsystems Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки S 2561 P
Корпус_____________________________________________|
Префикс :
S - стандартная серия
Корпус :
C - керамический
E - керамический DIL
P - пластмассовый
После обозначения корпуса возможно указание числа выводов
Analog Devices Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки A D 7520 A J N
Общая информация_________________________________| | |
Температурный диапазон_____________________________| |
Корпус_______________________________________________|
Префикс :
AD - аналоговые приборы
HA - гибридные АЦП
HD - гибридные ЦАП
Обозначение :
условный номер прибора, содержащий три или четыре цифры
Общая (дополнительная) информация :
A, B, C - промышленный (-25... +85C)
I, J, K, L, M - коммерческие (0...+70C)
S, T, U - военный (-55...+125C)
Корпус :
D - керамический или металлокерамический герметичный DIL
E - безвыводной кристалл
F - керамический плоский
G - с матричным расположением выводов
H - металлический герметизированый
M - металлический герметизированый DIL
N - пластмассовый DIL
Q - керамический DIL
CHIPS - кристаллы на пластине
Burr-Brown Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки ADC 803 A K P Q
Модификация_____________________________________| | | |
Температурный диапазон____________________________| | |
Корпус______________________________________________| |
Отработка_____________________________________________|
Префикс :
ADC - АЦП
DAC - ЦАП
OPA - усилители, умножители
VFC - преобразователи частота-напряжение
Модификация :
A - улучшеный вариант
L - снабженный D-триггерами-защелками
Z - напряжение питания +12, -12В
HT - широкий температурный диапазон
Температурный диапазон :
A, B, C - промышленный (-25...+85С)
H, J, K, L - коммерческий (0...+70C)
R, S, T, V - военный (-55...+125C)
Корпус :
G - керамический
H - керамический герметичный
L - безвыводной кристаллодержатель
M - металлический герметичный
P - формованный пластмассовый
Отработка :
IQM - в соответствии с военным стандартом MIL-STD-883
Q - повышеная надежность
Fujitsu Ltd.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M B 8116 L P
Модификация_______________________________________| |
Корпус______________________________________________|
Префикс :
MB - микроблок
MBM - микроблок модифицированный
Модификация :
L - с пониженой потребляемой мощностью
Корпус :
C - керамический
P - пластмассовый
Z - керамический DIL
Fairchild Instrument & Camera Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки m A 7 4 1 A H M
Электрические параметры__________________________| | |
Корпус_____________________________________________| |
Температурный диапазон_______________________________|
Префикс :
F - ИС производства фирмы Fairchild
SH - гибридные ИС
mA - линейные ИС
Электрические параметры :
использование необязательно
Корпус :
D - керамический герметизированый DIL
E - пластмассовый транзистороподобный
F - плоский герметизированый
H - металлический транзистороподобный
J - металлический для больших мощностей типа T060
K - металлический для больших мощностей типа T03
P - пластмассовый формованный DIL
R - 8-выводной керамический герметизированый мини-DIL
S - керамический DIL для ИС серии F6800
T - 8-выводной литой пластмассовый DIL
U - типа T0220 для больших мощностей
W - пластмассовый типа T092
Температурный диапазон :
C - коммерческий (0...+70C)
M - военный (-55...+125C)
V - промышленный (-25...+85C)
General Instrument Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки AY-5 9151 A
Назначение___________________| | |
Температурный диапазон_________| |
Корпус_____________________________________________|
Назначение :
AY - матричные ИС
ER - ППЗУ с электрическим стиранием информации
KB - интерфейсы - шифраторы класиатуры
LA - логические матричные ИС
PIC - микропроцессоры, микроЭВМ
RA - ОЗУ
RO - ПЗУ
SP - ИС для синтезаторов речи
SPR - ПЗУ для синтезаторов речи
Температурный диапазон :
1 - 0....+70C
2, 3 - -55...+125C
4, 5 - -40....+85C
6 - -40...+110C
Harris Semiconductor
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки HA 1 2425 A S
Назначение___________________| | | |
Корпус_________________________| | |
Модификация_______________________________________| |
Температурный диапазон______________________________|
Назначение :
C - ИС систем связи
D - цифровые ИС
HA - аналоговые ИС
I - интерфейсы
M - ИС памяти
PC - программируемая логика
S - КМОП-ИС
V - высоковольтные ИС
Y - многокристальные ИС
Корпус :
0 - бескорпусной
1 - керамический DIL
1B - герметизация пайкой
2 - металлостеклянный цилиндрический типа T05
3 - пластмассовый DIL
4 - безвыводной кристаллодержатель
4P - пластмассовый кристаллодержатель с выводами
5 - керамическая подложка
7 - мини-DIL
9 - плоский
Обозначение :
0xxx - диодные матрицы
61xx - микропроцессоры
63xx - КМОП-ПЗУ
64xx - КМОП-интерфейсы
65xx - КМОП-ОЗУ
6600 - мощные импульсные ИС
66xx - КМОП-ПЗУ
76xx - КМОП-ППЗУ с УФ-стиранием
77xx - ПЛМ
Модификация :
отсутствие буквы - стандартная ИС
для КМОП ИС
A - напряжение питания 10В
B - низкая потребляемая мощность, высокая рабочая частота
D - для коммерческого потребления
для биполярных ИС
A - усовершенствованный тип, два уровня металлизации
P - пониженая потребляемая мощность
R - выход-защелка
RP - пониженая потребляемая мощность, выход-защелка
Температурный диапазон, отработка :
1 - -55...+200C
2 - -55...+125C
4 - -25....+85C
5 - 0....+70C
6 - 100%-ная проверка кристаллов при 25C
7 - высокая надежность
8 - высокая надежность, термотренироовка
9 - -40....+85C
9+ - -40....+85C, термотренировка
RH - повышеная радиационная стойкость
ИС серии 8xCxx
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M D 82C59A-5 /B
Температурный диапазон______| | | |
Корпус________________________| | |
Рабочая частота____________________________| |
Отработка__________________________________________|
Температурный диапазон :
С - коммерческий (0...+70C)
I - промышленный (-40...+85C)
M - военный (-55...+125C)
X - -25C
Корпус :
D - керамический DIL
P - пластмассовый
R - безвыводной кристаллодержатель
S - пластмассовый кристаллодержатель с выводами
X - бескорпусной
Обозначение :
80Cxx - микропроцессоры
82Cxx - периферийные ИС
Рабочая частота :
для микропроцессоров
2 - 8МГц
отсутствие - 5МГц
для периферийных ИС
5 - 5МГц
отсутствие - 8Мгц
Отработка :
8 - повышеная надежность, термотренировка
+ - промышленный температурный диапазон, термотренировка
883 - полный цикл испытаний в соответствии с военным стандартом M
IL-STD-883
Hitachi Ltd.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки H M 427114 A P
Модификация_______________________________________| |
Корпус______________________________________________|
Префикс :
HA - аналоговые ИС
HD - цифровые ИС
HM - ОЗУ
HN - ПЗУ
Корпус :
P - пластмассовый DIL
C - керамический DIL
CG - безвыводной керамический кристаллодержатель герметизированны
й стеклом
CP - кристалл с выводами в пластмассовом держателе
FP - плоский пластмассовый
G - керамический DIL
PG - плоский с матричным расположением выводов
SO - малогабаритный с конфигурированными выводами
S - малогабаритный пластмассовый DIL
Inmos Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки IMS 1 4 2 0 S 45 M
Тип__________________________________| | | | | | |
Емкость памяти_________________________| | | | | |
Организация______________________________| | | | |
Разновидность______________________________| | | |
Корпус__________________________________________| | |
Быстродействие_____________________________________| |
Отработка____________________________________________|
Тип :
1 - статическое ОЗУ
2 - динамическое ОЗУ
Емкость памяти :
4 - 16К
5 - 32К
6 - 64К
и т.д.
Организация (в битах) :
0 - x1
1 - x2
2 - x4
и т.д.
Разновидность :
0 - стандартные ИС
1 - дополнительные функции
Корпус :
P - пластмассовый DIL
S - керамический DIL
W - керамический кристаллодержатель
Быстродействие (время выборки):
45 - 45нс
55 - 55нс
12 - 120нс
14 - 140нс
и т.д.
Отработка :
отсутствие знака - коммерческое применение
E - расширенный температурный диапазон
L - пониженая потребляемая мощность
M - в соответствии с военным стандартом MIL-STD-883C
Intel Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M D 2114A L-3
Исполнение__________________| | |
Корпус________________________| |
Модификация________________________________________|
Исполнение :
I - промышленное
M - в соответствии с военным стандартом
Корпус :
B, C, D - герметичный
G - герметичный с матричным расположением выводов
J - кристаллодержатель
M - металлический
P - пластмассовый
R - безвыводной герметичный кристаллодержатель
X - бескорпусной
Модификация :
До трех знаков, указывающих на различные варианты исполнения, в
том числе пот-
ребляемую мощность, быстродействие и т.д.
Intersil Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки ICL 8 0 8 3 C C P D /HR
Назначение____________________| | | | | |
Электрические параметры________________________| | | | |
Температурный диапазон___________________________| | | |
Корпус_____________________________________________| | |
Число выводов корпуса________________________________| |
Отбраковка_______________________________________________|
Назначение :
AD - ИС разработки фирмы Analog Devices Inc.
D - преобразователи уровня
DG - гибридные аналоговые переключатели разработки фирмы Silicon
ix Inc.
DGM - монолитные ИС, разработанные для замены гибридных аналоговы
х переключате-
лей типа DG
ICH - гибридные ИС
ICL - аналоговые ИС
ICM - периферийные ИС
IM - контроллеры
LH - гибридные ИС разработки фирмы National Semiconductor Corp.
LM - ИС разработки фирмы National Semiconductor Corp.
MM - высоковольтные аналоговые переключатели
NE, SE - ИС разработки фирмы Signetics Corp.
Электрические параметры :
дополнительно до двух знаков
Температурный диапазон :
для ИС типа D и DG
A - -55...+125C
B - -20....+85C
C - 0....+70C
для остальных типов ИС
C - 0....+70C
I - -20....+85C
M - -55...+125C
Корпус :
A - транзисторный типа T0237
B - пластмассовый плоский
C - транзисторный типа T0220
D - керамический DIL
E - транзисторный типа T08
F - керамический плоский
H - транзисторный типа T066
I - 16-выводной герметичный гибридный DIL
J - керамический DIL
K - транзисторный типа T03
L - керамический безвыводной
P - пластмассовый DIL
S - транзисторный типа T052
T - транзисторный типа T05
U - транзисторный типа T072
V - транзисторный типа T039
Z - транзисторный типа T092
/D - разрезанные кристаллы
/W - кристаллы на пластине
Число выводов корпуса :
A - 8 B - 10 C - 12 D - 14 E - 16 F - 22 G - 2
4 H - 42
I - 28 J - 32 K - 35 L - 40 M - 48 N - 18 P - 2
0 Q - 2
R - 3 S - 4 T - 6 U - 7 V - 8 W - 10 Y - 8
Z - 10
Отбраковка :
/883B - в соответствии с военным стандартом MIL-STD-883B
/BI - термотренировка в процессе производства
/BR - недорогие высоконадежные ИС
/HR - высоконадежные ИС
ITT Semicondustors Intermetal
Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro
Electron.
Lambda Semiconductor
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки LAS 1 4 12
Назначение____________________| |
Напряжение_________________________________________|
Назначение :
L - регулятор напряжения
LAS - регулятор
PMR - двойной выпрямитель
Linear Technology Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки LT 1001A C N
Температурный диапазон____________________________| |
Корпус______________________________________________|
Префикс :
LT - ИС разработки фирмы Linear Technology Corp.
LF, LH, LM - ИС разработки фирмы National Semiconductor Corp.
OP - ИС разработки фирмы Precision Monolithics Inc.
SG - ИС разработки фирмы Silicon General Inc.
UC - ИС разработки фирмы Unitrode
Температурный диапазон :
C - коммерческий (0...+70C)
M - военный (-55...+125C)
Корпус :
H - транзисторный типа T05, T046
J - 14-, 16-, 18-выводной керамический DIL
JB - 8-выводной керамический DIL
K - металлический транзисторный типа T03
N - 14-, 16-, 18-выводной формованный DIL
N8 - 8-выводной формованный DIL
S8 - 8-выводной пластмассовый плоский
T - 3-, 5-выводной формованный транзисторный типа T0220
Z - 2-, 3-выводной формованный транзисторный типа T092
Matsushita Electronics Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки D N 74LS00
Префикс :
AN - аналоговые ИС
DN - цифровые биполярные ИС
NN - МОП-ИС
Mitsubishi Electric Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M 5 89 81 S-45
Обозначение фирмы___________| | | | | |
Температурный диапазон________| | | | |
Назначение и технология________________| | | |
Номер_____________________________________| | |
Корпус___________________________________________| |
Электрические параметры_____________________________|
Температурный диапазон :
5 - промышленно-коммерческий (-20...+75C)
9 - высоконадежные ИС
Назначение и технология :
01...09 - КМОП
1 - аналоговые ИС
3 - ТТЛ
10...19 - аналоговые ИС
32, 33 - ТТЛ (эквивалент серии SN74 фирмы Texas Instruments Inc.)
41...47 - ТТЛ
48, 49 - ИИЛ
84 - КМОП
85 - p-МОП с кремниевым затвором
86 - p-МОП с алюминиевым затвором
87 - n-МОП с кремниевым затвором
88 - n-МОП с алюминиевым затвором
89 - КМОП
9 - ДТЛ
S0...S2 - ТТЛ с диодами Шотки (эквивалент серии SN74S фирмы Tex
as Instruments
Inc.)
Номер :
Две цифры условного номера ИС
Корпус :
B - керамический с герметизацией пластмассой
F - пластмассовый плоский
K - керамический с герметизацией стеклом
L - пластмассовый с однорядным расположением выводов
P - пластмассовый DIL
S - металлокерамический
SP - пластмассовый малогабаритный DIL
T - металлостеклянный цилиндрический типа T05
Y - металлический типа T03
Для обозначения ИС других фирм применяется цифровое обозначе
ние фирмы-раз-
работчика, перед которым добавляется буква, указывающая на эту фи
рму :
C - серия MC фирмы Motorola Semiconductor Products Inc.
G - ИС разработки фирмы General Instrument Corp.
K - серия MK фирмы Mostek Corp.
L - ИС разработки фирмы Intel Corp.
T - серия TMS фирмы Texas Instruments Inc.
W - ИС разработки фирмы Western Digital Corp.
Monolithics Memories Inc.
Логические матрицы
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки PAL 14 L 4 M J 883B
Назначение____________________| | | | | | |
Число входов матрицы________________| | | | | |
Тип выходов___________________________| | | | |
Число выходов___________________________| | | |
Температурный диапазон____________________| | |
Корпус______________________________________| |
Отбраковка_________________________________________|
Назначение :
HAL - запрограммированные логические матрицы
PAL - ПЛМ
Тип выходов :
A - регистровый арифметический
C - комплементарный
H - активный высокий
L - активный низкий
R - регистровый
X - закрытый или регистровый
Температурный диапазон :
C - коммерческий
N - военный
Корпус :
J - керамический DIL
N - пластмассовый DIL
Отбраковка :
883B - согласно военному стандарту MIL-STD-883B, метод 5004 и 500
5, уровень B
883C - согласно военному стандарту MIL-STD-883B, метод 5004 и 500
5, уровень С
Цифровые ИС
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки S N 54 LS 373 J 883B
Температурный диапазон______________| | | |
Серия__________________________________| | |
Корпус_______________________________________| |
Отбраковка_________________________________________|
Температурный диапазон :
54 - военный
74 - коммерческий
Серия :
LS - с диодами Шотки и пониженой потребляемой мощностью
S - с диодами Шотки
Корпус :
D - керамический DIL с паяной крышкой
F - плоский
J - широкий керамический DIL
JS - керамический DIL
L - безвыводной
N - широкий пластмассовый DIL
NS - пластмассовый DIL
T - керамический DIL с паяной крышкой
Отбраковка :
аналогично маркировке логических матриц
ПЗУ и ППЗУ
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки 5 341 - I J 883B
Температурный диапазон_______| | | | |
Тип ИС________________________________| | | |
Серия_____________________________________| | |
Корпус______________________________________| |
Отбраковка_________________________________________|
Температурный диапазон :
5 - военный
6 - коммерческий
Тип ИС
0 - генераторы символов с ОК
1 - генераторы символов с ТС
2 - ПЗУ
3 - ППЗУ
Серия :
1 - ППЗУ с диодами Шотки
2 - улучшеные параметры
Тип корпуса и отбраковка - аналогично маркировке цифровых ИС
Высокоэффективные ППЗУ
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки 5 3 S 2 4 0 A J 883B
Температурный диапазон_______| | | | | | | | |
Тип ИС____________________________| | | | | | | |
Серия_______________________________| | | | | | |
Емкость памяти________________________| | | | | |
Разрядность выходов_____________________| | | | |
Тип выходов_______________________________| | | |
Работоспособность___________________________| | |
Корпус________________________________________| |
Отбраковка_________________________________________|
Температурный диапазон, тип ИС, тип корпуса и отбраковка - аналог
ично маркиров-
ке ПЗУ и ППЗУ
Серия :
DA - с диагностикой
LS - с диодами Шотки и пониженой потребляемой мощностью
RA - с регистрами
S - с диодами Шотки
Емкость памяти :
0 - 256бит
1 - 1024бит (1К)
2 - 2К
4 - 4К
и т.д.
Разрядность выходов :
4 - 4бит
8 - 8бит
Тип выходов :
0 - ОК
1 - ТС
3 - два состояния
Работоспособность :
отсутствие знака - стандартная
A - повышеная
Mostek Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M K 4027 J - 3
Корпус___________________________________________| |
Модфикация___________________________________________|
Префикс :
MK - стандартный
MKB - отбраковка согласно военному стандарту MIL-STD-883, уровень
B для расши-
реного диапазона температур
MKI - отбраковка для промышленного диапазона температур (-40...+8
5C)
Обозначение :
1xxx или 1xxxx - сдвиговые регистры и ПЗУ
2xxx или 2xxxx - ПЗУ, ЭППЗУ
3xxx или 3xxxx - ПЗУ, ЭППЗУ
38xx - компоненты микроЭВМ
4xxx или 4xxxx - ОЗУ
5xxx или 5xxxx - счетчики, ИС систем связи и промышленного примен
ения
7xxx или 7xxxx - ИС для микроЭВМ
Корпус :
D - для ОЗУ большой емкости
E - керамический безвыводной кристаллодержатель
F - плоский
J - керамический DIL
K - керамический DIL, пайка оловом
N - пластмассовый DIL
P - керамический DIL, пайка золотом
T - керамический DIL с прозрачной крышкой
Модификация :
одна или две цифры, характеризующие особенности работы ИС
Motorola Semiconductor Products Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M С 1458 P
Корпус_____________________________________________|
Префикс :
MC - ИС в корпусе
MCC - бескорпусной кристалл
MCH - гибридные ИС в герметичном корпусе
MCM - ИС памяти
MCP - гибридные ИС в пластмассовом корпусе
MLM - аналог ИС фирмы National Semiconductor Corp.
MMS - системы памяти
Обозначение :
после цифрового индекса ИС может быть буква, указывающая на отлич
ие по характе-
ристикам
Корпус :
F - керамический плоский
G - металлостеклянный цилиндрический типа T05
K - металлический для больших мощностей типа T03
L - керамический DIL
P - пластмассовый
PQ - пластмассовый с четырехрядным расположением выводов
R - металлический для больших мощностей типа T066
T - пластмассовый типа T0220
U - керамический
Mullard Ltd.
Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro
Electron.
National Semiconductor Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки L M 301A N
Назначение и технология______| |
Корпус_____________________________________________|
Назначение и технология :
ADC - АЦП
AF - активные фильтры
AH - аналоговые переключатели (гибридные)
CD - КМОП (только серия 4000)
COP - микроконтроллеры
DAC - ЦАП
DH - цифровые гибридные ИС
DM - цифровые монолитные ИС
DP - интерфейсы (микропроцессоры)
DS - интерфейсы
HS - гибридные ИС
IDM - микропроцессоры серии 2901
INS - микропроцессоры серий 4004 и 8080A
LF - аналоговые биполярные и КМОП-ИС
LH - аналоговые гибридные ИС
LM - аналоговые монолитные ИС
LMC - аналоговые монолитные КМОП-ИС
LP - аналоговые с малой потребляемой мощностью
MCA - матрицы логические
MM - КМОП
NMC - МОП-ИС памяти
NS - микропроцессорные компоненты (ИС памяти)
NS32- микропроцессорные компоненты серии 32000
NSC - микропроцессоры серии 800
PAL - ПЛМ
PL - программируемая логика
SCX - матрицы логические
SD - специальные цифровые ИС
SL - специальные аналоговые ИС
SM - специальные МОП-ИС
SN - цифровые ИС разработки других фирм
Обозначение :
Номер конкретной ИС состоит из трех-пяти цифр, может быть до
полнен следую-
щими буквами :
A - улучшеные электрические характеристики
C - коммерческий диапазон температур (для ИС разработки других фи
рм)
Для аналоговых ИС собственной разработки первая цифра в обоз
начении указы-
вает на температурный диапазон :
1 - военный (-55...+125C)
2 - промышленный (-25...+85C)
3 - коммерческий (0...+70C)
Таким образом, обозначения LM101, LM201, LM301 принадлежат с
хемотехнически
тождественным ИС, отличающимся допустимым температурным диапазоно
м и в некото-
рой степени электрическими параметрами. Исключение из этого прав
ила - ИС серии
LM1800, некоторые гибридные ИС с дополнительной буквой C в об
означении и ИС
разработки других фирм, сохраняющие оригинальное обозначение.
Для цифровых ИС применяются следующие обозначения диапазона т
емператур :
Серия CDxxxx, дополнительное обозначение в суффиксе :
C - -40....+85C
M - -55...+125C
Серия DM54xx - все ИС, обозначение которых начинается с цифры 5,
имеют темпера-
турный диапазон -55...+125C
Серия DM74xx - все ИС, обозначение которых начинается с цифр 74,
имеют темпера-
турный диапазон 0...+70C
Серия DM7xxx - все остальные ИС, обозначение которых начинается с
цифры 7, име-
ют температурный диапазон -55...+125C
Серия DM8xxx - все ИС, обозначение которых начинается с цифры 8,
имеют темпера-
турный диапазон 0...+70C.
Корпус :
D - металлостеклянный DIL
F - металлостеклянный плоский
H - металлостеклянный цилиндрический типа T05 (T099, T0100, T046)
J - стеклянный DIL
K - металлический (стальной) для больших мощностей типа T03
KC - металлический (алюминевый) для больших мощностей типа T03
N - пластмассовый DIL
P - транзисторный типа T0202
S - DIL для мощных ИС
T - транзисторный типа T0220
W - стеклянный плоский
Z - транзисторный типа T092
Nippon Electric Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки mPD 7220 D
Назначение и технология_______| |
Корпус_____________________________________________|
Назначение и технология :
A - совмещенная технология
B - цифровые биполярные ИС
C - аналоговые биполярные ИС
D - цифровые КМОП-ИС
Корпус :
A - металлостеклянный цилиндрический типа T05
B - керамический плоский
C - пластмассовый DIL
D - керамический DIL
G - пластмассовый плоский
H - пластмассовый с однорядным расположением выводов
J - пластмассовый типа T092
K - керамический безвыводной кристаллодержатель
L - пластмассовый безвыводной кристаллодержатель
V - вертикальный DIL
Phillips
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки MA B 5400 A DP
Назначение и технология_____| | | |
Температурный диапазон________| | |
Версия___________________________________________| |
Корпус______________________________________________|
Назначение :
Для серий цифровых ИС - обозначение серии
Для отдельных ИС - вторая буква не несет смыслового значения
за исключением
буквы H, обозначающей гибридные ИС, первая буква означает :
S - отдельные цифровые ИС
T - аналоговые ИС
U - совмещенные аналоговые и цифровые ИС
Для микропроцессоров :
MA - процессоры
MB - микропроцессорные секции
MD - управляющая память
ME - остальные периферийные ИС
Температурный диапазон :
A - иной, чем указано ниже
B - 0....+70C
C - -55...+125C
D - -25....+70C
E - -25....+85C
F - -40....+85C
G - -50....+85C
Корпус :
Первая буква обозначает тип корпуса :
C - цилиндрический
D - DIL
E - мощный DIL с креплениями для внешнего радиатора
F - плоский, выводы с двух сторон
G - плоский, выводы с четырех сторон
K - типа T03
M - многорядное расположение выводов (кроме двух-, трех-, четырех
рядного)
Q - четырехрядное расположение выводов
R - четырехрядное расположение выводов с креплениями для внешнего
радиатора
S - однорядное расположение выводов
T - трехрядное расположение выводов
Вторая буква обозначает материал корпуса :
C - металлокерамический
G - стеклокерамический
M - металлический
P - пластмассовый
Plessey Semiconductors Ltd.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки SP 8735B DG
Назначение и технология_______| |
Корпус_____________________________________________|
Назначение и технология :
MJ - n-МОП
ML - аналоговые МОП-ИС с защищенным затвором
MN - цифровые МНОП-ИС
MP - цифровые МОП-ИС
MT - аналоговые МОП-ИС
MV - КМОП
NJ - n-МОП
NOM - МНОП-ИС памяти и матрицы
TAA, TBA, TCA, TDA - ИС разработки других фирм
SL - аналоговые биполярные ИС
SP - цифровые биполярные ИС
Корпус :
CM - многовыводной типа T05
DC - пластмассовый DIL
DG - керамический DIL
DP - пластмассовый DIL
EP - для мощных ИС
FM - 10-выводной плоский
GC - безвыводной кристаллодержатель
GM - 14-выводной плоский
KM - типа T03
QG - керамический с четырехрядным расположением выводов
QP - пластмассовый с четырехрядным расположением выводов
PP - DIL для мощных ИС с радиатором
SP - пластмассовый с однорядным расположением выводов
Precision Monolithics Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки DAC 0 8 BI E Q
Назначение и технология_______| | | |
Термотренировка__________________________________| | |
Электрические параметры____________________________| |
Корпус_______________________________________________|
Назначение :
ADC - АЦП
AMP - инструментальные усилители
BUF - буферы (повторители напряжения)
CMP - компараторы
DAC - ЦАП
DMX - демультиплексоры
GAP - аналоговые процессоры общего назначения
MUX - мультиплексоры
OP - ОУ
PKD - пиковые детекторы
PM - ИС разработки других фирм
REF - источники опорного напряжения
SMP - схемы выборки и хранения сигнала с усилителем
SW - аналоговые переключатели
Корпус :
H - 6-выводной типа T078
J - 8-выводной типа T099
K - 10-выводной типа T0100
P - пластмассовый DIL
Q - 16-выводной керамический DIL
R - 20-выводной керамический DIL
T - 28-выводной керамический DIL
V - 24-выводной керамический DIL
X - 18-выводной керамический DIL
Y - 14-выводной керамический DIL
Z - 8-выводной керамический DIL
Pro Electron - система обозначения Европейской ассоциации изгото
вителей элект-
ронных компонентов
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки TE C 1033 D
Назначение__________________| | |
Температурный диапазон________| |
Корпус_____________________________________________|
Назначение :
Первая буква :
S - цифровые ИС
T - аналоговые ИС
U - аналого-цифровые ИС
Вторая буква не несет смысловой нагрузки
Температурный диапазон :
A - иной, чем указано ниже
B - 0...+125C
C - -55...+125C
D - -25....+70C
E - -25....+85C
F - -40....+85C
G - -55....+85C
Корпус :
Первая буква обозначает форму корпуса :
C - цилиндрический
D - DIL
E - DIL для мощных ИС с выводами для радиатора
F - плоский с выводами с двух сторон
G - плоский с выводами с четырех сторон
K - типа T03
M - многорядное расположение выводов, за исключением 2-, 3- и 4-р
ядных
Q - четырехрядное расположение выводов
R - четырехрядное расположение выводов для мощных ИС с выводами д
ля радиатора
S - однорядное расположение выводов
T - трехрядное расположение выводов
Вторая буква обозначает материал корпуса :
C - металлокерамический
G - стеклокерамический
M - металлический
P - пластмассовый
Серии цифровых ИС
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки FS J 12 1
Серия_______________________| | |
Назначение____________________| |
Температурный диапазон___________________|
Серия :
две буквы FA...FZ, GA...GZ и т.д.
Назначение :
H - вентили, матрицы вентилей или подобные им ИС
J - бистабильные или мультистабильные ИС (триггеры, регистры, сче
тчики)
K - моностабильные ИС
L - преобразователи уровня
Y - прочие
Температурный диапазон :
1 - 0....+70C
2 - -55...+125C
6 - -40....+85C
RCA Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки CD 4070 B D
Назначение___________________| | |
Модификация_______________________________| |
Корпус_____________________________________________|
Назначение :
CA - аналоговые ИС
CD - цифровые КМОП-ИС
CDM, CDP, CMM, MWS - КМОП-БИС
LM - аналоговые ИС
PA - логические матрицы
Модификация :
A - модифицированная версия ИС, полностью заменяющая прототип
B - модифицированная версия ИС, полностью заменяющая версию A
C - модифицированная версия
Корпус :
D - керамический DIL
E - пластмассовый DIL
EM - модифицированный пластмассовый DIL с теплорастекателем
F - керамический DIL
H - кристалл
J - трехслойный керамический безвыводной кристаллодержатель
K - плоский керамический
L - однослойный керамический безвыводной кристаллодержатель
M - типа T0220
P - пластмассовый DIL с теплорастекателем
Q - пластмассовый с четырехрядным расположением выводов
QM - модифицированный пластмассовый с четырехрядным расположением
выводов
S, T, V1 - типа T05
W - пластмассовый с четырехрядным зигзагообразным расположением в
ыводов
SGS - Semiconductor Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки TDA 1200
Префикс :
Определяется в соответствии с системой обозначения Pro Electron
H - высокоуровневаялогика
HB, HC - КМОП-ИС
L, LS - профессиональные аналоговые ИС
M - МОП-ИС
TAA, TBA, TCA, TDA - аналоговые ИС для товаров широкого потреблен
ия
Siemens Aktiengessellschaft
Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro
Electron.
Signetics Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки N 8x02 N
Температурный диапазон_______| |
Корпус_____________________________________________|
Температурный диапазон :
N, NE - 0....70C
S, SE - -55...125C
SA - -40....85C
SU - -25....85C
55 - -55...125C
75 - 0....70C
Для ИС разработки других фирм префикс может обозначать фирму
-разработчика,
например :
AM - Advanced Micro Devices
DS - National Semiconductor Corp.
MC - Motorola Semiconductor Products Inc.
ULN - Sprague Electric Corp.
mA - Fairchild Instrument & Camera Corp.
или назначение и технологию ИС, например :
CA, DS, LF, LM, MC, OM, SG, TAA, TCA, TDA, TDB, TEA, UA - аналого
вые ИС
DAC - ЦАП
HEF, MB, MJ, PCD, PCE - КМОП
SAA, SAB, SAF - цифровые ИС
SCN - n-МОП-микропроцессоры
SCB - биполярные микропроцессоры
SCC - КМОП-микропроцессоры
Корпус :
D - 8-, 14-, 16-выводной миниатюрный пластмассовый DIL
EC - 4-выводной типа T046
EE - 4-выводной типа T072
F - 14-, 16-, 18-, 20-, 22-, 24-, 28-выводной керамический DIL
FE - 8-выводной керамический DIL
G - 20-, 28-, 44-выводной плоский квадратный
H - 4-, 8-, 10-выводной типа T05
I - 8-, 10-, 14-, 16-, 18-, 20-, 22-, 24-, 28-, 40-выводной кера
мический DIL
K - 2-выводной типа T03
N - 8-, 14-, 16-, 18-, 20-, 22-, 24-, 28-, 40-выводной пластмасс
овый DIL
N14- 14-выводной пластмассовый DIL для ИС, выпускаемых как в 8-,
так и в 14-вы-
водном корпусе
Q - 10-, 14-, 16-, 24-выводной керамический плоский
R - 16-, 18-, 24-, 28-, 40-выводной плоский из бериллиевой керам
ики
TA - 8-выводной типа T05
U - 9-, 13-выводной с однорядным расположением выводов
Y - 24-выводной керамический квадратный плоский с выводами кругл
ого сечения
W - 10-, 14-, 16-, 24-выводной керамический
Silicon General Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки SG 152 A J
Модификация_______________________________| |
Корпус_____________________________________________|
Модификация :
A - улучшеные электрические характеристики
C - уменьшеный температурный диапазон
Корпус :
F - плоский металлостеклянный
J - 14-, 16-выводной керамический DIL
K - типа T03
L - безвыводной кристаллодержатель
M - 8-выводной пластмассовый DIL
N - 14-, 16-выводной пластмассовый DIL
P - пластмассовый типа T0220
R - 3-, 8-выводной типа T066
S - для мощных ИС
T - металлостеклянный типа T05
W - 16-выводной керамический DIL
Y - 8-выводной керамический DIL
Siliconix Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки DG 303 A B P
Назначение___________________| | | |
Модификация______________________________________| | |
Температурный диапазон_____________________________| |
Корпус_______________________________________________|
Назначение :
D - ИС управления МОП-ключами
DF - цифровые ИС
DG - аналоговые переключатели и мультиплексоры
L - аналоговые ИС
LD - комбинированые аналого-цифровые ИС
PWM- ИС широтно-импульсной модуляции
SD - ДМОП-ИС
SI - ИС разработки других фирм
Температурный диапазон :
A - -55...+125C
B - -20....+85C
C - 0....+70C
D - -40....+85C
Корпус :
A - металлический цилиндрический герметичный
J - пластмассовый DIL
K - керамический DIL
L - плоский
P, R - DIL, герметизированый пайкой
Y - малогабаритный с однорядным расположением выводов
Мощные МОП-ИС-коммутаторы
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки V N 6 7 A B
Вертикальный мощный МОП_____| | | | | |
Тип подложки__________________| | | | |
Напряжение коммутации__________________| | | |
Условный номер___________________________| | |
Модификация_______________________________________| |
Корпус______________________________________________|
Корпус :
A - типа T03
B - типа T039
D - типа T0220
E - типа T052
F - типа T0202
G - типа T018
J - пластмассовый DIL
L - типа T092
M - типа T0237
P - DIL, герметизированый пайкой
V - типа T0218
Sprague Electric Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки UL N 2111 A
Назначение__________________| | |
Температурный диапазон________| |
Корпус_____________________________________________|
Назначение :
UC - КМОП-ИС
UD - цифровые ИС
UG - ИС на эффекте Холла
UL - аналоговые ИС
UT - тиристорные матрицы
Температурный диапазон :
N - ограниченый (-20...+85C)
Q - промышленный (-40...+85C)
S - военный (-55...+125C)
X - ИС-полуфабрикаты
Корпус :
A - пластмассовый DIL
B, P - пластмассовый DIL с теплорастекателем
C - кристалл
CW - отбракованные кристаллы на пластине
D - 3-выводной металлический цилиндрический
E - безвыводной кристаллодержатель
H - герметичный DIL
J - 14-выводный плоский герметичный
L - пластмассовый малогабаритный
M - 8-выводной пластмассовый DIL
Q - 16-выводной пластмассовый с четырехрядным расположением вывод
ов
R - керамический DIL
S - 4-выводной с однорядным расположением выводов
T - 3-выводной с однорядным расположением выводов
U - 3-выводной с однорядным расположением выводов, тонкий
V - типа T03
W - 12-выводной с однорядным расположением выводов
Y - типа T092
Z - 5-выводной типа T0220
Интерфейсы
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки UL P 400
Назначение-интерфейс________| |
Корпус________________________|
Корпус :
C - металлостеклянный герметичный плоский
D - металлостеклянный герметичный DIL
K - кристалл
P - пластмассовый DIL
Sprague Solid State
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки SCL 4000B C
Назначение и отбраковка______| |
Корпус_____________________________________________|
Назначение и отбраковка :
BCL - высоконадежная логика
BCM - высоконадежная память
BPL - высоконадежнаяпрограммируемая логика
SCL - стандартная логика
SCM - стандартная память
SPL - стандартная программируемая логика
SS - стандартная надежная логика
Корпус :
C - керамический DIL
E - пластмассовый DIL
F - пластмассовый плоский
HN - кристалл
HW - кристалл на пластине
Q - керамический DIL с кварцевым окном
T - пластмассовый малогабаритный
Standard Microsystems Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки COM 5016 T X P
Назначение___________________| | | |
Функциональное отличие___________________________| | |
Индекс маски_______________________________________| |
Корпус_______________________________________________|
Назначение :
CCC - контроллеры кассетных НМЛ
COM - ИС систем связи
CRT - контроллеры дисплея
FDC - контроллеры НГМД
HDC - контроллеры НМД
HYC - гибридные ИС систем связи
KP - кодировщики клавиатуры
MPU - микропроцессоры
SR - сдвиговые регистры
Функциональное отличие :
A, B, C - быстродействие
BI - проведение термотренировки
H - высокое быстродействие
SI - ПЗУ
T - вход синхронизации совместимый с ТТЛ-уровнями
Индекс маски :
Одно-, трехзначный код, определяющий маску ПЗУ
Корпус :
отсутствие знака - керамический
CD - керамический DIL
LI - пластмассовый кристаллодержатель с выводами
LL - безвыводный керамический кристаллодержатель
P - пластмассовый
Telefunken Electronic GmbH
Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro
Electron.
Texas Instruments Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки SN 74 S188 J
Назначение__________________| | |
Температурный диапазон_________| |
Корпус_____________________________________________|
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки TMS 4256 -15 N L
Назначение___________________| | | |
Быстродействие___________________________________| | |
Корпус______________________________________________| |
Температурный диапазон________________________________|
Назначение :
AC - биполярные ИС улучшеные
SBP - биполярные микропроцессоры
SMJ - МОП-ИС памяти и микропроцессоры
SN - стандартные ИС
TAC - КМОП-логические матрицы
TAL - ТТЛШ-логические матрицы с пониженой потребляемой мощностью
TAT - ТТЛШ-логические матрицы
TBP - биполярные ИС памяти
TC - формирователи видеосигналов для ПЗС
TCM - ИС для телекоммуникации
TIBPAL - биполярные ПЛМ
TIED - детекторы инфракрасного излучения
TIL - оптоэлектронные ИС
TL - аналоговые ИС
TLC - аналоговые КМОП-ИС
TMS - МОП-ИС памяти и микропроцессоры
TM - модули микроЭВМ
VM - ИС памяти речевого синтеза
Корпус :
FG, FE - многослойный прямоугольный кристаллодержатель
FH - однослойный керамический квадратный кристаллодержатель
FK - многослойный квадратный кристаллодержатель
FM - прямоугольный кристаллодержатель для динамических ОЗУ
FN - однослойный пластмассовый квадратный кристаллодержатель
J, JD, JG, JT - керамический DIL
KA, KC, KD, KF - пластмассовый с теплорастекателем
LP - 3-выводный пластмассовый
NT, NF, N, NE - пластмассовый DIL
T - металлический плоский
U, W, WA, WC - керамический плоский
8D, 14D, 16D - малогабаритный
Температурный диапазон :
при обозначении в префиксе :
54, 55 - -55...+125C
74, 75, 76 - 0...+70C
при обозначении в суффиксе :
отсутствие знака - 0...+70C
C - 0....+70C
E - -40....+85C
I - -25....+85C
L - 0....+70C
M - -55...+125C
S - специальный диапазон
Быстродействие (время выборки) :
15 - 150нс
17 - 170нс
2, 20 - 200нс
25 - 250нс
3, 35 - 350нс
4, 45 - 450нс
При маркировке различных вариантов цифровых ТТЛ-серий и совм
естимых с ними
серий первые знаки в обозначении соответствуют сериям :
54, 74 - стандартная ТТЛ
54H, 74H (High) - быстродействующая
74F (Fast) - сверхбыстродействующая
54L (Low-power) - с пониженой потребляемой мощностью
54LS, 74LS (Low-power Schottky) - ТТЛШ с пониженой потребляемой м
ощностью
54S, 74S (Schottky) - ТТЛШ
55, 75 - стандартные интерфейсы
54AS, 74AS (Advanced Schottky) - улучшеная ТТЛШ
54HC, 54HCT, 74HC, 74HCT (High-speed CMOS) - быстродействующие н
а основе КМОП-
структур
54ALS, 74ALS (Advanced Low-power Schottky) - улучшенная ТТЛШ с
пониженой по-
требляемой мощностью
76 - улучшеные ИС
Thomson - CSF/EFCIS
Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro
Electron.
Tokyo Sanyo Electric Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки LA 1230
Назначение и технология______|
Назначение и технология :
LA - аналоговые биполярные ИС
LB - цифровые биполярные ИС
LC - КМОП
LM - p-МОП и n-МОП
Toshiba Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки TA 7173 AP
Назначение и технология______| |
Корпус_____________________________________________|
Назначение и технология :
TA - аналоговые биполярные ИС
TC - КМОП
TD - цифровые биполярные ИС
TMM - n-КМОП
Корпус :
Первая буква обозначает материал корпуса :
A - усовершенствованный тип
C - керамический
M - металлический
P - пластмассовый
Вторая буква обозначает тип корпуса :
D - DIL
F - плоский
J - малогабаритный
T - безвыводной кристаллодержатель
Z - с зигзагообразным расположением выводов
TRW LSI Products
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки TDC 1016 J C 10
Назначение и технология______| | | |
Корпус__________________________________________| | |
Температурный диапазон____________________________| |
Электрические параметры______________________________|
Назначение и технология :
MPY - биполярные умножители
TDC - биполярные ИС
TMC - КМОП
Корпус :
B - керамический DIL
C - керамический кристаллодержатель
F - плоский
J - керамический DIL
L - кристаллодержатель с выводами
После буквы может стоять число, указывающее на количество выводов
Температурный диапазон :
A, F, N - -55...+125C
C, G, S - 0... +70C
Western Digital Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки WD 1943 P D 00
Корпус__________________________________________| | |
Число выводов_____________________________________| |
Дополнительные параметры_____________________________|
Корпус :
A - керамический с паяной крышкой
C - керамический DIL
D - керамический безвыводной кристаллодержатель
H - пластмассовый безвыводной кристаллодержатель
G - керамический кристаллодержатель с выводами
J - пластмассовый кристаллодержатель с выводами
P - пластмассовый DIL
Число выводов :
A - меньше 14 ; B - 14; C - 16; D - 18; E - 20; F - 2
2; G - 24
H - 28; L - 40; M - 44; N - 48; S - 64; T - 68
Zilog
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки Z80 A CRU P S
Особенности___________________________| | | |
Назначение_______________________________| | |
Корпус____________________________________________| |
Температурный диапазон______________________________|
Префикс :
Z - ИС производства Zilog
Z80 - ИС серии Zilog-80
Особенности :
отсутствие буквы - тактовая частота 2,5МГц
A - тактовая частота 4МГц
B - тактовая частота 6МГц
H - тактовая частота 8МГц
L - пониженое потребление мощности
Назначение :
CPU - процессор
CTC - таймер
DMA - схема прямого доступа к памяти
PIO - параллельный интерфейс
SIO - последовательный интерфейс
Корпус :
C - керамический
D - керамический DIL
P - пластмассовый
Q - керамический с четырехрядным расположением выводов
Температурный диапазон :
E - -40....+85C
M - -55...+125C
S - 0....+70C
1.3. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПРОИЗВОДСТВА СТР
АН-ЧЛЕНОВ СЭВ
Болгария
Для ИС производства Болгарии (РБ) приняты две системы обозна
чения. Одна из
них, более старая, строится по принципу, сходному с применяемым в
СССР : услов-
ное обозначение ИС, начинающееся с цифры 1 означает полупроводн
иковую ИС, от-
сутствие цифры указывает на гибридную или специальную ИС, следу
ющие две буквы
обозначают функциональное назначение ИС, например УО - операцион
ные усилители,
УМ - усилители мощности, РН - регуляторы (стабилизаторы) напряже
ния, СА - ком-
параторы напряжения, а цифр обычно соответствуют цифровой части
условного обо-
значения зарубежного аналога.
Другая система, более новая и простая : условное обозначение
ИС состоит из
букв СМ и условного кода из трех-пяти цифр, который может в ка
кой-то степени
соответствовать условному индексу зарубежного аналога.
Венгрия
Интегральные микросхемы производства Венгрии (ВР) изготавлива
ются, как пра-
вило, по лицензиям и имеют те же условные обозначения, что и прот
отип. При этом
в условных обозначениях цифровых и интерфейсных ИС буквенный
индекс префикс
аналога отсутствует.
ГДР
Условные обозначения интегральных микросхем производства Г
ДР состоят из
буквенного префикса, цифрового обозначения и буквенного суффикса.
Префикс, как правило, состоит из одной буквы :
A, B - аналоговые ИС
C - интерфейсные (цифро-аналоговые) ИС
D, E - цифровые биполярные ИС (ТТЛ)
U - ИС памяти и микропроцессорные ИС
Префикс может быть и двухбуквенным, вторая буква служит для
уточнения ха-
рактеристик серии, например DL - ТТЛШ с пониженой потребляем
ой мощностью,
DS - ТТЛШ.
Трех- или четырехзначное цифровое обозначение представляет
собой условный
порядковый номер или в случае воспроизведения зарубежного аналога
соответствует
цифровому индексу последнего.
Суффикс служит для обозначения корпуса :
C - керамический DIL
D - пластмассовый DIL
E - пластмассовый DIL с теплорастекателем
H, V - транзисторный типа T03
1.4. КОРПУСА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Большинство производителей ИС в той или иной форме вводит в
маркировку ИС
обозначения их коркусов, Это вызвано, во-первых, тем, что один
и тот же крис-
талл ИС во многих случаях может быть помещен в различные корпуса,
и пользовате-
лю необходимо знать, в каком корпусе он получит необходимую ИС. В
о-вторых, кор-
пус ИС во многом определяет ее устойчивость к внешним воздействи
ям: механичес-
кую прочность, температурный диапазон, воздействие климатических
и биологичес-
ких факторов, радиационную устойчивость. От корпуса, также, завис
ит допустимая
рассеиваемая мощность ИС. Наконец, корпус предопределяет возможн
ость автомати-
зированой установки ИС на плату и ее распайки.
Стремление производителей ИС добиться наилучших показателей п
ри использова-
нии ИС приводит к увеличению числа типоразмеров корпусов ИС. Так
в СССР произ-
водятся ИС в корпусах более чем 200 типоразмеров. Сдерживающим
фактором, пре-
пятствующим росту числа типоразмеров корпусов ИС, является авто
матизация про-
цессов производства радиоэлектронной аппаратуры, приводящая не
только к огра-
ничению их числа, но и к соблюдению жестких стандартов на корпуса
ИС.
Все многообразие корпусов ИС, можно разделить на ряд типов.
В таблице 1.3
приведены типы корпусов ИС, встречающиеся в настоящем справочнике
, в соответст-
вии с принятыми за рубежом сокращенными обозначениями.
Таблица 1.3
________ _______________________________________________________
_____________
| |
|
| Тип | Полное наименование
|
|________|_______________________________________________________
_____________|
| |
|
| CERD | Ceramic Dual In Line Package (CERDIP)
|
| | Керамический с двухрядным расположением выводов
|
| DIC | Dual In Line Package, Metal-Ceramic
|
| | Металлокерамический с двухрядным расположением выводов
|
| DIP | Dual In Line Package, Plastic
|
| | Пластмассовый с двухрядным расположением выводов
|
| FLWIRE | Capsulated Chips With The Flexible Gold Wires
|
| | Кристалл ИМС с гибкими золотыми выводами в упаковке
|
| FP | Flat-Package, Plastic
|
| | Пластмассовый плоский
|
| FPC | Flat-Package, Ceramic
|
| | Керамический плоский
|
| FPMG | Flat-Package, Metal-Glass
|
| | Металлостеклянный плоский
|
| QUIC | Quadro in Line Package, Ceramic
|
| | Керамический с четырехрядным расположением выводов
|
| QUIP | Quadro in Line Package, Plastic
|
| | Пластмассовый с четырехрядным расположением выводов
|
| SIP | Single in Line Package, Plastic
|
| | Пластмассовый с однорядным расположением выводов
|
| SOP | Small Outline Package, Plastic
|
| | Пластмассовый малогабаритный
|
| T03 | Металлический цилиндрический для больших мощностей с д
вумя изоли- |
| | рованными выводами
|
| T05 | Металлостеклянный цилиндрический с круговым расположен
ием выводов |
| |
|
| T018 | Металлостеклянный цилиндрический малогабаритный с трем
я выводами |
| |
|
| T046 | Металлостеклянный цилиндрический с тремя выводами
|
| |
|
| T092 | Пластмассовый цилиндрический малогабаритный с тремя вы
водами |
| |
|
| T0220 | Пластмассовый плоский с тремя выводами с металлическим
теплорасте- |
| | кателем для крепления к радиатору
|
| WAFER | Not Divided Chips On The Wafers
|
| | Неразрезаная пластина с кристаллами ИС
|
|________|_______________________________________________________
_____________|
Типы корпусов можно разделить на ряд групп :
1. Корпуса типа DIL (Dual In Line) или, как их часто обознач
ают, DIP (Dual
In Line Package) с двухрядным расположением выводов: керамическ
ие (CERD), ме-
таллокерамические (DIC) и пластмассовые (DIP) корпуса. В настоящ
ее время полу-
чили наибольшее распространение для аппаратуры широкого применен
ия. Они предо-
ставляют возможность широкого выбора числа выводов (от 4 до 64)
, обеспечивают
достаточную механическую прочность, хорошую защиту от внешних воз
действий, воз-
можность автоматической установки на плату и пайки различными спо
собами.
2. Плоские корпуса (Flat-Package): пластмассовые (FP), керами
ческие (FPC) и
металлостеклянные (FPMG). Получили распространение в основном в с
пециальной ап-
паратуре.
3. Корпуса типа QUIL (Quadro In Line) с четырехрядным распо
ложением выво-
дов: керамические (QUIC), металлокерамические и пластмассовые (Q
UIP). Широкого
распространения не получили.
4. Корпуса типа SIP используются в основном для ИС, применя
емых в бытовой
радиоэлектронной аппаратуре. К их недостаткам следует отнести
сравнительно
ограниченное число выводов и невысокую механическую прочность.
5. Корпуса типа SOP, относительно новый тип, получающий в н
астоящее время
все большее распространение для технологии поверхностного монтажа
печатных плат
и представляющий собой гибрид корпусов DIL и FP.
6. Транзистороподобные корпуса типа T0..., имеющие ограничен
ное применение
в производстве ИС из-за небольшого числа выводов. Наиболее прим
енимы корпуса
типа T05 - в ОУ и других несложных аналоговых схемах и типа T03
и T0220 - для
ИС, имеющих повышенную мощность рассеивания, например, в мощных с
табилизаторах.
В таблице 1.3 также указаны два варианта бескорпусного исполн
ения ИС, имею-
щих ограниченное применение в практике производства радиоэлектро
нной аппарату-
ры.
В дальнейшем, при указании конкретного корпуса после его обо
значения, при-
веденного в таблице 1.3, будет добавляться число выводов (для
корпусов типа
T05 перед его обозначением), например, DIP14 - корпус типа DIP
с 14 выводами;
8T05 - корпус типа T05 с 8 выводами.
|